在全球半导体材料领域，一场关于碳化硅（SiC）衬底的市场格局变革正在悄然上演。2025年，中国厂商天岳先进以27.6%的导电型SiC衬底全球外销份额登顶行业榜首，这一成绩不仅标志着企业自身的突破，更意味着全球SiC衬底供应体系从“海外主导”向“中国领跑”的结构性转变。这场变革背后，是技术迭代、市场需求与产业生态的深度共振。
SiC衬底按电学性能分为导电型与半绝缘型两大类。导电型衬底是功率半导体器件的核心材料，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等高增长领域；半绝缘型衬底则主要用于5G通信基站和国防军工的射频器件。根据弗若斯特沙利文数据，2024年全球SiC衬底市场规模约88亿元人民币（仅统计外销），其中导电型占比75%，规模达66亿元；半绝缘型占比25%，规模约22亿元。到2025年，导电型市场规模增至87亿元，半绝缘型增至26亿元。更值得关注的是，随着汽车电气化和8英寸晶圆普及，n型SiC将成为核心增长引擎，预计2030年全球市场规模将达585亿元，2024-2030年复合增长率达37.1%。
尺寸升级是这场变革的关键变量。6英寸衬底仍是当前主流，但8英寸产品的起量速度远超预期。TrendForce预测，2030年8英寸SiC衬底出货份额将突破20%。而天岳先进的数据更为突出：2025年其8英寸导电型衬底全球市场份额达51.3%，主营业务收入占比从2024年的30%提升至44%。这一成绩的取得，源于中国厂商在技术迭代窗口期的精准卡位——当国际巨头Wolfspeed在8英寸扩产中陷入良率提升困境时，天岳先进已率先完成从技术突破到量产交付的全链条闭环。
市场格局的洗牌在数据中清晰可见。2024年全球前五大SiC衬底制造商中，Wolfspeed以23.5%的份额位居第一，天岳先进（16.7%）、天科合达（11.3%）紧随其后。但到2025年，天平彻底倾斜：天岳先进以27.6%的份额跃居首位，Wolfspeed份额暴跌至18%，第三至第七位分别为ROHM（11%）、SK Siltron（7.5%）、天科合达（7.2%）、Resonac（6%）和Coherent（5.5%）。更引人注目的是，天岳先进在总份额、6英寸和8英寸三个维度全面领先，尤其是8英寸市场，全球每两片外销产品中就有一片来自中国。
中国厂商的崛起并非偶然，而是多重结构性优势的集中体现。首先是“大尺寸换道超车”的产业机遇。8英寸衬底的技术难度远高于6英寸，热场分布不均、晶体生长控制复杂等问题，使得原有6英寸时代的工艺经验部分失效。中国厂商抓住这一技术路线重置窗口，天岳先进于2023年实现8英寸量产，天科合达紧随其后，而国际巨头则因扩产爬坡缓慢错失先机。其次是新能源产业链的系统性支撑。中国作为全球最大新能源汽车市场，为SiC衬底提供了从整车厂到器件厂商的完整验证闭环。天岳先进能够快速量产，得益于下游客户如英飞凌、博世等对8英寸产品的迫切需求，这种“终端牵引-器件验证-衬底迭代”的联动机制，大幅缩短了技术优化周期。
产能扩张的规模效应与成本优势同样关键。中国头部厂商近三年产能扩张速度远超海外同行，天岳先进上海基地从设备进场到量产仅用4个月，年产能迅速拉升至30万片。这种建设效率不仅摊薄了固定成本，更让中国厂商在价格战中占据主动。当Wolfspeed因高运营成本被迫承受价格下行压力时，中国厂商通过主动降价策略快速扩大市场份额，直接推动了市场格局的重塑。
竞争分化正在加剧。Wolfspeed的困境源于其“技术领先-高定价-高利润-再投入”循环的断裂，中国厂商的低价策略使其利润收窄，进而拖累扩产和研发节奏。ROHM的份额下滑则暴露了IDM模式在外销市场的局限——产能优先满足内部需求，导致外销市场客户关系维护不足。Coherent将SiC衬底定位为自有射频业务配套，逐渐远离功率半导体主战场。相比之下，天科合达通过聚焦6英寸光伏和工业领域，2025年份额微升至7.2%，两家中国头部企业合计份额达34.8%，超过Wolfspeed与Coherent的23.5%，形成系统性规模优势。
然而，领先地位的巩固仍面临挑战。天岳先进2025年营收同比下降17.15%，归母净利润亏损2.08亿元，主要源于主动降价策略和一次性因素。尽管2026年以来，随着新能源汽车、AI等领域需求释放，SiC衬底价格进入反弹周期，但盈利能力修复仍需时间。国际市场准入与合规风险也在上升，贸易摩擦和出口管制可能冲击海外市场拓展。技术代际切换的不确定性同样存在，12英寸量产难度呈指数级上升，而氧化镓等第四代半导体材料的快速发展，可能对SiC形成替代竞争。不过，中国厂商已在12英寸领域取得突破：天岳先进上海临港基地二期重点布局12英寸产品，2025年获得全球头部客户订单并实现交付；合盛硅业宣布12英寸衬底研发顺利并推进送样；天科合达展示12英寸导电型衬底及热沉级衬底，计划布局AR应用；烁科晶体成功研制12英寸高纯半绝缘及N型衬底。
这场变革的本质，是全球半导体产业“去中心化”趋势在宽禁带材料领域的缩影。技术迭代提供弯道超车窗口，庞大内需市场提供迭代验证土壤，产能扩张的规模效应提供成本竞争底气。中国厂商虽已占据有利位置，但胜负未定——Wolfspeed的技术积累和品牌影响力仍具威胁，中国厂商间的竞争也在加剧，价格战持续时间与行业盈利能力仍存不确定性。未来三到五年，12英寸规模化量产、新兴市场开拓、盈利与份额的平衡、全球化布局与供应链安全，将成为决定主导权的关键变量。可以确定的是，SiC衬底行业已进入“多极竞逐”新阶段，而中国厂商的崛起，正在重新定义全球半导体材料的竞争版图。
