三星电子近日宣布，成功研发出全球首款专为设备端人工智能（On-Device AI）优化的通用闪存存储（UFS）5.0解决方案。该产品基于第九代V-NAND闪存技术，严格遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准，旨在应对端侧AI场景下对数据处理速度与响应效率的严苛挑战。
性能指标显示，UFS 5.0实现了革命性突破。其顺序读取速度峰值达10.8GB/s，写入速度最高9.5GB/s，较前代UFS 4.1标准提升超100%。这一特性将显著缩短大型AI模型的加载时间，使运行大语言模型（LLM）时的延迟降低至毫秒级，为智能手机、XR头显等设备带来更流畅的AI交互体验。
在能效优化方面，新方案通过引入时钟门控技术与多电压架构，实现同等数据传输量下功耗降低40%以上。这项改进可有效延长移动设备的续航时间，尤其适用于需要持续运行AI算法的可穿戴设备和扩展现实（XR）设备。
物理设计层面，UFS 5.0采用超紧凑封装工艺，尺寸缩减至7.5mm×13mm×0.9mm，较前代体积缩小16.7%。这种微型化设计为终端厂商提供了更大的内部空间布局自由度，同时支持最高1TB的存储容量配置，满足AI应用对海量数据存储的需求。
三星存储器事业部产品规划团队负责人指出，随着设备端AI的普及，存储系统正成为决定用户体验的核心要素。此次技术突破不仅展现了三星在闪存领域的持续创新能力，更通过性能与能效的双重优化，为下一代智能终端树立了新的行业标准。
量产计划显示，UFS 5.0将于今年第四季度启动大规模生产，首批产品将优先供应旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备市场。根据市场研究机构数据，三星在2026年第一季度以31.6%的份额领跑NAND闪存市场，此次技术领先有望进一步巩固其行业主导地位。
