高盛亚洲团队近日发布的DRAM行业分析报告指出，当前内存市场正经历显著的价格分化。数据显示，DDR4内存现货价格较合约价已飙升172%，DDR5的现货与合约价差也达到76%，这种差距直观反映出合约价与市场供需基本面严重脱节。报告预测，随着市场机制调节，合约价将迎来大幅补涨。
业内分析认为，现货市场因其高频交易特性，能够更敏锐地反映短期供需变化。此次DDR4与DDR5同步出现巨额价差，核心原因在于合约价调整滞后于市场实际需求。随着供需失衡加剧，这种价格背离状态难以持续，合约价补涨已成为行业共识。
从供应端看，DRAM行业面临结构性产能约束。受晶圆厂建设周期长、投产节奏慢等因素影响，2026年前行业新增产能有限，其中DDR4领域还将出现减产，供给收缩趋势明显。需求端则呈现强劲增长态势，AI基础设施迭代加速推动存储单元从单机服务器向机架系统扩展，直接拉动了DRAM整体需求，供需缺口持续扩大。
高盛报告特别提到，下游终端客户已普遍接受2026年一季度内存价格大幅上涨的预期，这为合约价上调奠定了市场基础。价格调整可能引发连锁反应，既影响内存厂商营收结构，也会推高下游电子设备制造成本，全行业需密切关注这一趋势演变。
