新思科技首席执行官盖思新近日在访谈中指出，全球存储芯片市场正经历前所未有的供应紧张局面，这种态势或将延续至2027年。他分析称，人工智能基础设施建设的爆发式增长导致高端内存芯片需求激增，而产能扩张速度难以匹配需求增速，成为制约市场平衡的关键因素。
作为全球领先的电子设计自动化企业，新思科技的技术广泛应用于AI、云计算等前沿领域。盖思新透露，头部内存厂商生产的芯片中，超过80%被AI数据中心消化，导致消费电子、汽车电子等传统市场面临严重缺货。这种结构性失衡使得非AI领域的采购商难以获得足够配额，部分企业甚至需要提前18个月下单锁定产能。
美光科技两周前发布的预测与新思科技不谋而合。该公司全球运营执行副总裁Manish Bhatia强调，AI服务器对高带宽存储器（HBM）的需求呈现指数级增长，而这类芯片的制造工艺复杂度远超传统DRAM，进一步加剧了供应压力。市场数据显示，2023年第四季度HBM价格同比上涨超过50%，且交货周期延长至30周以上。
产能扩张滞后是制约供应的核心矛盾。盖思新解释称，内存芯片行业具有典型的重资产特征，新建晶圆厂从立项到量产通常需要2-3年周期。尽管三星、SK海力士等厂商已宣布数十亿美元投资计划，但新增产能预计要到2026年才能逐步释放。这种时间差使得本轮供应紧张周期可能突破传统内存行业的4年周期规律，形成所谓的"超级周期"。
价格传导效应正在显现。消费电子厂商面临成本压力，部分智能手机品牌已考虑将存储芯片成本转嫁至终端售价。市场研究机构TrendForce预测，2024年主流旗舰手机的存储配置成本可能上涨15-20%。与此同时，服务器厂商为确保HBM供应，不得不接受厂商的"捆绑销售"策略，额外采购大量标准型DRAM芯片。
行业格局迎来深刻变化。新思科技分析指出，内存市场正从传统的周期性波动转向结构性分化，AI相关产品将长期维持供不应求状态，而传统市场则可能面临产能过剩风险。这种分化正在重塑产业链价值分配，拥有先进制程和HBM技术的厂商将占据更大市场份额，技术迭代速度成为决定企业命运的关键因素。
