国际消费电子展（CES）上，英伟达首席执行官黄仁勋的一番言论引发存储芯片市场剧烈震荡。他公开表示，当前全球存储市场存在巨大缺口，未来有望成为支撑人工智能发展的核心基础设施，其规模甚至可能超越传统认知。这一判断直接点燃了资本市场热情，美股盘后交易中，闪迪股价单日飙升近28%，希捷与西部数据涨幅均突破14%，美光科技亦录得10%涨幅，存储板块集体走强。
支撑黄仁勋观点的，是人工智能技术迭代带来的存储需求质变。他重点介绍了英伟达最新研发的"context memory架构"，该技术通过将高速存储模块（KV缓存）直接嵌入GPU机架，实现数据存储与计算的物理级融合。随着大模型上下文长度从十万量级向亿级跨越，传统存储架构因数据频繁迁移导致的网络拥堵问题愈发突出，而新架构通过缩短数据传输路径，为AI训练提供了革命性解决方案。这种技术突破首次为行业提供了可量化的存储需求测算标准，以机柜为单位的需求规模得以清晰呈现。
需求端的爆发式增长迅速传导至供应链。摩根士丹利最新研报指出，闪迪核心产品NAND闪存价格将在2026年首季上涨30%-35%，美光DRAM价格涨幅更可能达到40%-70%。美光科技首席执行官公开表示，当前产能扩张速度远不及需求增长，供应紧张局面将持续至2026年后。全球存储龙头三星电子即将公布的季度财报备受关注，分析师普遍预测其营业利润将同比激增160%，主要得益于存储芯片价格大幅上涨。
市场数据印证了这种供需失衡。行业机构TrendForce统计显示，第四季度DDR5 DRAM芯片价格同比暴涨314%，创下历史纪录。由于主要厂商将先进制程产能优先供应AI服务器及高带宽内存（HBM）市场，传统消费电子、工业控制等领域的存储芯片供应出现严重短缺。该机构预测，本季度传统DRAM合约价环比涨幅将达55%-60%，NAND闪存价格也将上涨33%-38%，形成全面涨价态势。
野村证券分析团队认为，本轮存储芯片超级周期已形成明确上行趋势，预计将持续至2027年。其研究显示，真正意义上的产能扩张要到2028年才会出现，这意味着未来两年市场仍将处于供不应求状态。该机构建议投资者在2026年继续重点配置存储行业龙头，强调应关注价格、利润、估值三重驱动的投资逻辑，而非仅聚焦HBM单一产品线。其预测三星电子、SK海力士、美光科技三大巨头的盈利水平将集体刷新历史纪录。
